MOS管测试仪 |
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“MOS管测试仪”参数说明
“MOS管测试仪”详细介绍
BC3193半导体分立器件测试系统
测试系统用途及主要测试对象:二极管,三极管,可控硅,场效应管,(IGBT)绝缘栅双极三极管,达林顿矩阵,单结晶体管,光敏二极管,光敏三极管,光电耦合器,固态继电器等,DC/DC模块参数测试仪,MOS测试仪,三极管开关时间测试仪。 二极管及整流桥:VR、IR、VF、VZ、HVZ、动态阻抗。 三极管:BVCBO、BVCEO、BVCER、BVCES、BVEBO、ICBO、ICEO、ICER、ICES、IEBO、VCES、VBES、HFE. 可控硅:IGT、IH、IL、VGT、VON、BVAKF、BVAKR、BVAKO、IAKF、IAKR. 场效应管:BVDSS、BVDSR、BVDSO、BVDGO、BVGSO、BVGSS、IDSS、IDSO、IGDO、IGSO、IDSR、VGS、VDS、VTH、gm. 达林顿管:VCESAT、ICEO.R.S、IEBO、HFE、VBESAT、BVCEO.IGBT、BVCGR、BVGES、TGES、VCEST、VGETH. 光电耦合器:VF、IR、BVR、BVCEO、ICEO、CTR、VCESAT. *测试系统可对器件测试结果进行存储和打印。 *测试原理符合相应的国家标准,国家**标准和行业标准。 *采用脉冲法测试功率参数,符合国军标并有效的抑制测试温生。 *采用Kelvin测试原理,排除线路电阻及接触电压,使大电流的参数测试更准。 |
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